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2023年中國深圳國際半導(dǎo)體技術(shù)與應(yīng)用展覽會|半導(dǎo)體展會|電子芯片展

編輯:中昊科隆展覽來源: 發(fā)表時間:2023-01-11 19:42:00關(guān)注 次 | 查看所有評論

內(nèi)容摘要: 2023第五屆深圳國際半導(dǎo)體技術(shù)展覽會 展覽時間:2023年05月16-18日 展覽地點(diǎn):深圳市國際會展中心(寶安新館) 組織機(jī)構(gòu):中國通信工業(yè)協(xié)會、深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、廣東省集成電路……


2023第五屆深圳國際半導(dǎo)體技術(shù)展覽會

展覽時間:2023年05月16-18日
展覽地點(diǎn):深圳市國際會展中心(寶安新館)

組織機(jī)構(gòu):中國通信工業(yè)協(xié)會、深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、廣東省集成電路行業(yè)協(xié)會、廣州市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、成都市集成電路行業(yè)協(xié)會

伴隨著 5G、移動互聯(lián)網(wǎng)、云計算、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新一代信息技術(shù)加速向經(jīng)濟(jì)社會各領(lǐng)域滲透,世界正在走向“萬物互聯(lián)”的時代,這為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來了更多的機(jī)遇和空間,也影響著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展走向。為進(jìn)一步提升半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展,充分展示半導(dǎo)體行業(yè)的前沿裝備技術(shù),積極推動半導(dǎo)體業(yè)界的交流互動,強(qiáng)化半導(dǎo)體行業(yè)的交流意識、合作意識,實(shí)現(xiàn)相互促進(jìn)、共同發(fā)展”2023 中國(深圳)國際半導(dǎo)體技術(shù)與應(yīng)用展覽會”將于 2023年 5月 16日-18 日在深圳國際會展中心(寶安新館)隆重召開,為半導(dǎo)體行業(yè)搭建全方位展示與交流平臺。



展示范圍
一、半導(dǎo)體材料:單晶硅、硅片、鍺硅材料、S01 材料、太陽能電池用硅材料及化合物半導(dǎo)體材料、石英制品、石墨制品、防靜電材料等;

二、半導(dǎo)體設(shè)備:半導(dǎo)體封裝設(shè)備、半導(dǎo)體擴(kuò)散設(shè)備、半導(dǎo)體焊接設(shè)備、半導(dǎo)體清洗設(shè)備、半導(dǎo)體測試設(shè)備、半導(dǎo)體制冷設(shè)備、半導(dǎo)體氧化設(shè)備等;

三、半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品與應(yīng)用技術(shù)等;

四、半導(dǎo)體光電器件;

五、IC 產(chǎn)品與應(yīng)用技術(shù)、IC 測試方法與測試儀器、IC 設(shè)計與設(shè)計工具、IC 制造與封裝;

六、集成電路終端產(chǎn)品;


集成電路(integrated circuit)是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝,把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上,然后封裝在一個管殼內(nèi),成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu);其中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個整體,使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進(jìn)了一大步。它在電路中用字母“IC”表示。集成電路發(fā)明者為杰克·基爾比(基于鍺(Ge)的集成電路)和羅伯特·諾伊斯(基于硅(Si)的集成電路)。當(dāng)今半導(dǎo)體工業(yè)大多數(shù)應(yīng)用的是基于硅的集成電路。


集成電路發(fā)展史:
電子管——晶體管——集成電路——超大規(guī)模集成電路

1906年,***個電子管誕生;

1918年前后,逐步發(fā)現(xiàn)了半導(dǎo)體材料;

1932年前后,運(yùn)用量子學(xué)說建立了能帶理論研究半導(dǎo)體現(xiàn)象

(這也為經(jīng)典工藝所能達(dá)到的集成尺寸極限下了定論——7NM);

1946年,威廉.肖克利(硅谷創(chuàng)始人,杰出的電子工藝學(xué)家,物理學(xué)家)的

研發(fā)小組成功研發(fā)半導(dǎo)體晶體管,使得IC大規(guī)模地發(fā)揮熱力奠定了基礎(chǔ);

1960年12月,世界上***塊硅集成電路制造成功;

1966年,美國貝爾實(shí)驗室使用比較完善的硅外延平面工藝制造成***塊公認(rèn)的大規(guī)模集成電路;

1988年,16M DRAM問世,1平方厘米大小的硅片上集成了3500萬個晶體管

1997年,300MHz奔騰Ⅱ問世,采用0.25μm工藝,奔騰系列芯片的推出讓計算機(jī)的發(fā)展更加迅速;

2009年,intel酷睿i系列全新推出,創(chuàng)紀(jì)錄采用了領(lǐng)先的32納米工藝,并且下一代22納米工藝正在研發(fā)。


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聯(lián) 系 人:王老師

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